核心傳感原理

　　數顯真空傳感器基於壓阻式或電容式原理實現壓力感知。壓阻式傳感器利用半導體材料的壓阻效應，在矽膜片表麵擴散形成惠斯登電橋，當真空度變化時，膜片形變導致電橋失衡，輸出與壓力成正比的電信號。例如，在半導體製造中，0.1Pa的壓力變化即可被捕捉，確保光刻工藝的精度。電容式傳感器則通過矽膜片與固定電極構成的平行板電容器，真空度變化引起膜片形變，改變電容值，經測量電路轉換為電壓信號。MEMS工藝製造的矽壓阻/電容元件結合溫度補償算法，使傳感器在-100kPa至0（真空）範圍內測量精度達±0.1%FS，重複性優於0.05%FS。

　　智能信號處理技術

　　傳感器輸出的微弱信號需經多級處理：采用差動比例放大器抑製共模幹擾，提升信噪比；通過A/D轉換將模擬信號轉為數字信號，分辨率可達1Pa；內置16位ADC與MCU實現非線性修正，補償溫度波動引起的誤差。例如，在真空冷凍幹燥中，傳感器可實時修正數據，確保冰晶直接升華，避免產品變質。部分型號集成無線模塊（如LoRa），實現遠程監控與數據傳輸，滿足化工園區無人值守需求。

　　選型關鍵原則

　　量程與精度：根據應用場景選擇量程，如半導體製造需0.1-10⁵Pa高精度傳感器，而化工壓力控製可選10³-10⁵Pa中精度型號。精度需滿足係統需求，避免過度追求高精度導致成本增加。

　　環境適應性：考慮溫度、介質等因素。例如，-30℃低溫環境下需選擇帶溫度補償的傳感器，確保±0.5%FS的測量精度。

　　接口與輸出：支持4-20mA電流輸出或RS485通信接口的傳感器便於與PLC、DCS集成；帶數顯功能的型號可現場調試，提升效率。

　　穩定性與壽命：MEMS工藝傳感器體積小（如27.2mm³）、壽命長，適合空間受限的場景；傳統諧振模式傳感器則適用於對均勻性要求高的鍍膜工藝。